PMV50ENEAR

功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB

制造商:nexperia usa inc.

系列:汽车级,AEC-Q101

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):276pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):510mW(Ta), 3.9W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 3.9A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-236AB(SOT23)

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:1

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